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参数资料
| 型号： | DS2422X |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | Memory IC:Other |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, UUC |
| 文件页数： | 14/23页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | DS2422X |
DS2422/DS2423
021998 21/23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
–0.5V to +7.0V
Operating Temperature
–40
°C to +85°C
Storage Temperature
–55
°C to +125°C
Soldering Temperature
260
°C for 10 seconds
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above
those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maxi-
mum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
DC CHARACTERISTICS
(VPUP=2.8V to 6.0V; VBAT=2.8 to 5.5V;–40°C to +85°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Logic 1
VIH
2.2
V
1, 8
Logic 0
VIL
–0.3
+0.8
V
1, 9
Output Logic Low @4 mA
VOL
0.4
V
1
Output Logic High
VOH
VPUP
6.0
V
1, 2
Input Load Current
IL
5
A
3
Standby Current
IBATS
200
nA
I/O Operate Charge
QBATO
200
nC
12
CAPACITANCE
(tA = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
I/O (1–Wire)
CIN/OUT
100
800
pF
6
COUNTER INPUT CHARACTERISTICS
(VPUP=2.8V to 6.0V; VBAT=2.8 to 5.5V;–40°C to +85°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Trip Point
VTRIP
1/2 VBAT
V
Logic 1
VINH
VTRIP
VBAT
+0.3
V
1, 10
Logic 0
VINL
–0.3
VTRIP
V
1
Internal Pull–Up Resistor
RPI
28
M
11
Debounce Time
TDEB
290
s
Pulse Width (Active Low)
TPW
1
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS2423P/T&R | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO6 |
| DS2423P | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO6 |
| DS2423X | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, UUC |
| DS2423 | 4K X 1 STANDARD SRAM, PDSO6 |
| DS2422 | 1K X 1 STANDARD SRAM, PDSO6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS2423 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4kbit 1-Wire RAM with Counter |
| DS2423D/T&R | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:IC SRAM 4KBIT 6FLIPCHIP |
| DS2423D/T&R | 功能描述:IC SRAM 4KBIT 6FCHIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS2423MRAB0 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:300A,NLT,3P4W,MG,423,3P480V |
| DS2423P | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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