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参数资料
| 型号： | DSPIC30F4013-30I/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 101/153页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSPIC MCU/DSP 48K 44QFN |
| 产品培训模块： | Serial Communications using dsPIC30F CAN Serial Communications using dsPIC30F I2C Serial Communications using dsPIC30F SPI Serial Communications using dsPIC30F UART dsPIC30F 12 bit ADC - Part 2 dsPIC30F Addressing Modes - Part 1 dsPIC30F Architecture - Part 1 dsPIC30F DSP Engine & ALU dsPIC30F Interrupts dsPIC30F Motor Control PWM dsPIC Timers Asynchronous Stimulus dsPIC30F Addressing Modes - Part 2 dsPIC30F Architecture - Part 2 dsPIC30F 12-bit ADC Part 1 |
| 标准包装： | 45 |
| 系列： | dsPIC™ 30F |
| 核心处理器： | dsPIC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 30 MIP |
| 连通性： | CAN，I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | AC'97，欠压检测/复位，I²S，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 30 |
| 程序存储器容量： | 48KB（16K x 24） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 13x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-VQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 651 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | XLT44QFN2-ND - SOCKET TRAN ICE 44QFN/40DIP AC164322-ND - MODULE SOCKET MPLAB PM3 28/44QFN DV164005-ND - KIT ICD2 SIMPLE SUIT W/USB CABLE |
| 其它名称： | DSPIC30F401330IML |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页当前第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页
2010 Microchip Technology Inc.
DS70138G-page 51
dsPIC30F3014/4013
6.3
Writing to the Data EEPROM
To write an EEPROM data location, the following
sequence must be followed:
1.
Erase the data EEPROM word.
a)
Select the word, data EEPROM erase and
set the WREN bit in the NVMCON register.
b)
Write the address of word to be erased into
NVMADR.
c)
Enable the NVM interrupt (optional).
d)
Write 0x55 to NVMKEY.
e)
Write 0xAA to NVMKEY.
f)
Set the WR bit. This begins the erase cycle.
g)
Either poll the NVMIF bit or wait for the
NVMIF interrupt.
h)
The WR bit is cleared when the erase cycle
ends.
2.
Write the data word into data the EEPROM write
latches.
3.
Program 1 data word into the data EEPROM.
a)
Select the word, data EEPROM program and
set the WREN bit in the NVMCON register.
b)
Enable the NVM write done interrupt
(optional).
c)
Write 0x55 to NVMKEY.
d)
Write 0xAA to NVMKEY.
e)
Set the WR bit. This begins the program
cycle.
f)
Either poll the NVMIF bit or wait for the
NVM interrupt.
g)
The WR bit is cleared when the write cycle
ends.
The write does not initiate if the above sequence is not
exactly followed (write 0x55 to NVMKEY, write 0xAA to
NVMCON, then set WR bit) for each word. It is strongly
recommended that interrupts be disabled during this
code segment.
Additionally, the WREN bit in NVMCON must be set to
enable writes. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to unexpected code exe-
cution. The WREN bit should be kept clear at all times
except when updating the EEPROM. The WREN bit is
not cleared by hardware.
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit does not affect the current write cycle. The
WR bit is inhibited from being set unless the WREN bit
is set. The WREN bit must be set on a previous instruc-
tion. Both WR and WREN cannot be set with the same
instruction.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the Nonvolatile Memory Write
Complete Interrupt Flag bit (NVMIF) is set. The user
may either enable this interrupt or poll this bit. NVMIF
must be cleared by software.
6.3.1
WRITING A WORD OF DATA
EEPROM
Once the user has erased the word to be programmed,
then a table write instruction is used to write one write
latch, as shown in Example 6-4.
6.3.2
WRITING A BLOCK OF DATA
EEPROM
To write a block of data EEPROM, write to all sixteen
latches first, then set the NVMCON register and
program the block, as shown in Example 6-5.
EXAMPLE 6-4:
DATA EEPROM WORD WRITE
; Point to data memory
MOV
#LOW_ADDR_WORD,W0
; Init pointer
MOV
#HIGH_ADDR_WORD,W1
MOV
W1,TBLPAG
MOV
#LOW(WORD),W2
; Get data
TBLWTL
W2,[ W0]
; Write data
; The NVMADR captures last table access address
; Select data EEPROM for 1 word op
MOV
#0x4004,W0
MOV
W0,NVMCON
; Operate key to allow write operation
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7 for
; next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Initiate program sequence
NOP
; Write cycle will complete in 2mS. CPU is not stalled for the Data Write Cycle
; User can poll WR bit, use NVMIF or Timer IRQ to determine write complete
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PDF描述 |
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参数描述 |
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