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参数资料
型号： DSPIC30F4013-30I/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 95/153页
文件大小： 0K
描述： IC DSPIC MCU/DSP 48K 44QFN
产品培训模块： Serial Communications using dsPIC30F CAN
Serial Communications using dsPIC30F I2C
Serial Communications using dsPIC30F SPI
Serial Communications using dsPIC30F UART
dsPIC30F 12 bit ADC - Part 2
dsPIC30F Addressing Modes - Part 1
dsPIC30F Architecture - Part 1
dsPIC30F DSP Engine & ALU
dsPIC30F Interrupts
dsPIC30F Motor Control PWM
dsPIC Timers
Asynchronous Stimulus
dsPIC30F Addressing Modes - Part 2
dsPIC30F Architecture - Part 2
dsPIC30F 12-bit ADC Part 1
标准包装： 45
系列： dsPIC™ 30F
核心处理器： dsPIC
芯体尺寸： 16-位
速度： 30 MIP
连通性： CAN，I²C，SPI，UART/USART
外围设备： AC'97，欠压检测/复位，I²S，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 30
程序存储器容量： 48KB（16K x 24）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 1K x 8
RAM 容量： 2K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 2.5 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 13x12b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 44-VQFN 裸露焊盘
包装： 管件
产品目录页面： 651 (CN2011-ZH PDF)
配用： XLT44QFN2-ND - SOCKET TRAN ICE 44QFN/40DIP
AC164322-ND - MODULE SOCKET MPLAB PM3 28/44QFN
DV164005-ND - KIT ICD2 SIMPLE SUIT W/USB CABLE
其它名称： DSPIC30F401330IML
dsPIC30F3014/4013
DS70138G-page 46
2010 Microchip Technology Inc.
5.6.3
LOADING WRITE LATCHES
Example 5-2 shows a sequence of instructions that
can be used to load the 96 bytes of write latches.
32 TBLWTL and 32 TBLWTH instructions are needed to
load the write latches selected by the Table Pointer.
5.6.4
INITIATING THE PROGRAMMING
SEQUENCE
For protection, the write initiate sequence for NVMKEY
must be used to allow any erase or program operation
to proceed. After the programming command has been
executed, the user must wait for the programming time
until programming is complete. The two instructions
following the start of the programming sequence
should be NOPs as shown in Example 5-3.
EXAMPLE 5-2:
LOADING WRITE LATCHES
EXAMPLE 5-3:
INITIATING A PROGRAMMING SEQUENCE
; Set up a pointer to the first program memory location to be written
; program memory selected, and writes enabled
MOV
#0x0000,W0
;
MOV
W0,TBLPAG
; Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#0x6000,W0
; An example program memory address
; Perform the TBLWT instructions to write the latches
; 0th_program_word
MOV
#LOW_WORD_0,W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_0,W3
;
TBLWTL
W2,[W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3,[W0++]
; Write PM high byte into program latch
; 1st_program_word
MOV
#LOW_WORD_1,W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_1,W3
;
TBLWTL
W2,[W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3,[W0++]
; Write PM high byte into program latch
;
2nd_program_word
MOV
#LOW_WORD_2,W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_2,W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
; 31st_program_word
MOV
#LOW_WORD_31,W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_31,W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
Note:
In Example 5-2, the contents of the upper byte of W3 has no effect.
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7 for
; next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
;
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
;
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Start the erase sequence
NOP
; Insert two NOPs after the erase
NOP
; command is asserted
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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