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参数资料
| 型号： | ECH8310-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8310
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--30
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
yfs
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--4.5A
--1.2
12
--2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
ID=--4.5A, VGS=--10V
ID=--2A, VGS=--4.5V
ID=--2A, VGS=--4.0V
9
12
13.5
13
20
23
17
28
32.5
m ?
m ?
m ?
Input Capacitance
Ciss
1400
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--9A
350
250
10
45
134
87
28
4
6
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--9A, VGS=0V
--0.8
--1.2
V
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be
indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --15V
ID= --4.5A
RL=3.3 ?
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 ?
S
ECH8310
Ordering Information
Device
ECH8310-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1430-2/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8315 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8315-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8320 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8320_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8320-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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