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参数资料
| 型号： | ECH8601M-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8601M
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
24
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4A
0.5
3.1
5.3
1.3
V
S
RDS(on)1
ID=4A, VGS=4.5V
13.5
17
23
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
ID=4A, VGS=4.0V
ID=4A, VGS=3.1V
ID=2A, VGS=2.5V
14
14.5
16
18
20
24
24
30
35
m Ω
m Ω
m Ω
Turn-ON Delay Time
td(on)
300
ns
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=8A
1000
3000
1800
7.5
1.5
2.0
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=8A, VGS=0V
0.8
1.2
V
Switching Time Test Circuit
4V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=4A
RL=2.5 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
Rg
D
VOUT
ECH8601M
P.G
50 Ω
S
Rg=1k Ω
Ordering Information
Device
ECH8601M-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1174-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8601R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8601R-TL-H | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 6.5A ECH8 |
| ECH8602M | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET |
| ECH8602M_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8602M-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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