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参数资料
| 型号： | ECH8601M-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8601M
10
9
8
7
ID -- VDS
9
8
7
6
ID -- VGS
VDS=10V
6
5
5
4
4
3
2
1
0
VGS=1.5V
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
40
35
ID=2A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
4A
IT13805
T a=25 °C
45
40
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13573
30
35
.0A
, ID
=4.
2.5
S= V ID
3.1
S=
25
20
30
25
20
VG
=2
V 0A
VG =4.
V GS
5V,
I D=
4.0
A
VGS
, I D=
15
10
15
10
=
4.0V
4.0
A
5
5
0
2
4
6
8
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT13574
10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13856
10
7
VDS=10V
7
5
3
2
1.0
7
5
3
VGS=0V
--25
5
3
Ta=
° C
75 °
C
2
0.1
7
5
3
2
25 °
C
2
0.01
7
5
3
2
1.0
0.001
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(o ff )
IT13575
VDD=10V
VGS=4.5V
4.5
4.0
Diode Forward Voltage, VSD -- V
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=8A
IT13576
3
2
tf
3.5
3.0
1000
7
5
3
tr
td(on)
2.5
2.0
1.5
1.0
2
0.5
100
0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Drain Current, ID -- A
IT13857
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT13858
No. A1174-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ECH8601R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8601R-TL-H | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 6.5A ECH8 |
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