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参数资料
| 型号： | ECH8601M-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8601M
2
ASO
1.8
PD -- Ta
0 μ
100
7
5
3
2
IDP=60A
PW ≤ 10 μ s
10
s
1.6
1.5
1.4
When mounted on ceramic substrate
(1000mm 2 ? 0.8mm)
ms
0m
e a
t o
n
To
al
ni
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ID=8A
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
op
r
10
s
i
1m
s
1.2
1.0
0.8
0.6
t
1u
Di
t
ss
ip
ati
on
Single pulse
2 When mounted on ceramic substrate
0.1
7 Ta=25 ° C
5
3
0.01 (1000mm 2 ? 0.8mm) 1unit
0.4
0.2
0
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13721
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13722
No. A1174-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8601R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8601R-TL-H | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 6.5A ECH8 |
| ECH8602M | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET |
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| ECH8602M-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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