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参数资料
| 型号： | ECH8655R-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8 |
| 产品目录绘图： | ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.8nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1160-6 |
ECH8655R
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
24
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4.5A
0.5
4.8
8
1.3
V
S
RDS(on)1
ID=4.5A, VGS=4.5V
9
13
17
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
ID=4.5A, VGS=4.0V
ID=4.5A, VGS=3.1V
ID=2A, VGS=2.5V
9
9.2
10.5
13.5
15
18
18
21
25.5
m Ω
m Ω
m Ω
Turn-ON Delay Time
td(on)
320
ns
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=10V, ID=9A
1100
2400
2100
16.8
1.6
4.8
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=9A, VGS=0V
0.8
1.2
V
Switching Time Test Circuit
4.5V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=4.5A
RL=2.22 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
P.G
G
50 Ω
Rg
D
S
VOUT
ECH8655R
Rg=1k Ω
Ordering Information
Device
ECH8655R-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1011-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ECH8656 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8656_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8656-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8657 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8657_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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