参数资料
型号: ECH8655R-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8
产品目录绘图: ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫欧 @ 4.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-ECH
包装: 标准包装
产品目录页面: 1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 869-1160-6
ECH8655R
0 μ
1m
10
ms
0m
era
tio
To
al
Di
ss
1u
a i t
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=60A
ID=9A
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
op
10
n
s
PW ≤ 10 μ s
10
s
s
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 ? 0.8mm)
t
ip
ni t on
3 When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 ? 0.8mm) 1unit
0.1
7 Ta=25 ° C
5 Single pulse
2
0.01
0.4
0.2
0
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13391
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13154
No. A1011-4/7
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