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参数资料
| 型号： | ECH8655R-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8 |
| 产品目录绘图： | ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.8nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1160-6 |
ECH8655R
9
ID -- VDS
9
ID -- VGS
VDS=10V
8
7
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.5V
VGS=1.0V
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13155
Ta=25°C
35
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13156
35
30
4.5A
V, I D
I D=
V GS 1V,
4.5A
.5V, D
VGS
30
25
20
15
ID=2.0A
4.5A
25
20
15
= 2.5
=3.
VGS I =
=2A
=4
4.0V, D
10
10
VG
S=
I =4
.5A
5
0
5
0
0
2
4
6
8
10
--50
0
50
100
150
200
10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT13157
10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13158
7
VDS=10V
7
5
3
2
VGS=0V
=-
5 °
° C
5
Ta
-2
C
75
1.0
7
5
3
2
3
25
° C
0.1
7
5
3
2
1.0
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td (off)
IT13159
VDD=10V
VGS=4V
10
Diode Forward Voltage, VSD -- V
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=9A
IT13160
3
2
1000
7
5
tf
tr
8
6
4
td(on)
3
2
2
100
0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT13236
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT13237
No. A1011-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8656 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8656_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8656-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8657 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8657_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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