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参数资料
| 型号： | ECH8655R-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8 |
| 产品目录绘图： | ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.8nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1160-6 |
ECH8655R
mm
Outline Drawing
ECH8655R-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
* For reference
Land Pattern Example
0.65
0.4
Unit: mm
No. A1011-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8656-TL-H | MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 |
| ECH8657-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 35V 4.5A ECH8 |
| ECH8659-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 |
| ECH8660-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 |
| ECH8661-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8656 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8656_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8656-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8657 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8657_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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