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参数资料
| 型号： | ECH8671-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8671
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--12V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
--12
--10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=--6V, ID=--1mA
VDS=--6V, ID=--1.5A
ID=--1.5A, VGS=--4.5V
--0.4
2.7
4.6
59
--1.3
77
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1A, VGS=--2.5V
ID=--0.5A, VGS=--1.8V
VDS=--6V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3.5A
IS=--3.5A, VGS=0V
90
145
330
110
88
7.1
30
31
32
3.9
0.6
1.1
--0.85
126
215
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--4.5V
VIN
VIN
VDD= --6V
ID= --1.5A
RL=4 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
ECH8671
Ordering Information
Device
ECH8671-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1456-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8672-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.5A ECH8 |
| ECH8675-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 |
| EE-1005 | CONNECTOR FOR PHOTOSENSORS |
| EE-SB5 | SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER |
| EE-SF5 | SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8672 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8672-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8673 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8673-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8674 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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