参数资料
型号: ECH8671-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 77 毫欧 @ 1.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 6V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-ECH
包装: 带卷 (TR)
ECH8671
mm
Outline Drawing
ECH8671-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
* For reference
Land Pattern Example
0.65
0.4
Unit: mm
No. A1456-6/7
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PDF描述
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