参数资料
型号: ECH8671-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 77 毫欧 @ 1.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 6V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-ECH
包装: 带卷 (TR)
ECH8671
--3.0
ID -- VDS
--6.0
--5.5
VDS= --10 V
ID -- VGS
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
--1.5V
VGS= --1.2V
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
220
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14572
Ta=25°C
220
200
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14573
VGS
--1.8V
180
160
140
ID= --0.5A
180
160
140
=
, I D=
--0.
5A
= --1.0
V, I D
V GS=
= --1.5A
V GS= --
120
100
80
60
40
20
--1A
--1.5A
120
100
80
60
40
20
--2.5
4.5V, I D
A
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
| y fs | -- ID
IT14574
VDS= --6V
--10
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14575
10
7
3
2
° C
5
3
2
Ta
= --
25
° C
75
--1.0
7
5
3
1.0
7
5
3
2
0.1
25 °
C
2
--0.1
7
5
3
2
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.01
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
5
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14576
VDD= --6V
VGS= --4.5V
1000
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14577
f=1MHz
5
100
7
Ciss
5
3
2
td(off)
tf
3
2
10
7
5
3
td(on)
tr
100
7
C o ss
Crss
2
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
5
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT14578
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14579
No. A1456-3/7
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PDF描述
ECH8672-TL-H MOSFET P-CH DUAL 20V 3.5A ECH8
ECH8675-TL-H MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8
EE-1005 CONNECTOR FOR PHOTOSENSORS
EE-SB5 SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER
EE-SF5 SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER
相关代理商/技术参数
参数描述
ECH8672 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8672-TL-H 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8673 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications
ECH8673-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8674 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications