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参数资料
| 型号： | EDI88257CA |
| 英文描述： | 256Kx8 Monolithic SRAM(256Kx8 CMOS单片静态RAM（存取时间20，25，35，45，55ns）) |
| 中文描述： | 256Kx8单片的SRAM（256Kx8的CMOS单片静态随机存储器（存取时间20,25,35,45,55纳秒）） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | EDI88257CA |
5
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88257CA
Characteristic
Sym
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Low Power Version only
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 2.0V
2
–
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
CS
≥ VDD -0.2V
–
2
mA
Chip Disable to Data Retention Time
TCDR
VIN
≥ VDD -0.2V
0
–
ns
Operation Recovery Time
TR
or VIN
≤ 0.2V
TAVAV
––
ns
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (EDI88257LPA ONLY)
(TA = -55
°C to +125°C)
WS32K32-XHX
FIG. 5
DATA RETENTION - CS CONTROLLED
DATA RETENTION, CS CONTROLLED
Data Retention Mode
tR
Vcc
CS
tCDR
CS = VDD -0.2V
VDD
4.5V
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