- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录93349 > EDI88512CA-RP 512Kx8 Plastic Monolithic SRAM CMOS(512Kx8 CMOS塑料单片静态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | EDI88512CA-RP |
| 英文描述： | 512Kx8 Plastic Monolithic SRAM CMOS(512Kx8 CMOS塑料单片静态RAM) |
| 中文描述： | 512Kx8塑料的CMOS单片的SRAM（512Kx8的CMOS塑料单片静态内存） |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | EDI88512CA-RP |
3
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
EDI88512CA-RP
AC CHARACTERISTICS – READ CYCLE
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = 0
°C to +70°C)
Symbol
17ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Read Cycle Time
tAVAV
tRC
17
20
25
ns
Address Access Time
tAVQV
tAA
17
20
25
ns
Chip Enable Access Time
tELQV
tACS
17
20
25
ns
Chip Enable to Output in Low Z (1)
tELQX
tCLZ
33
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1)
tEHQZ
tCHZ
070
8
0
10
ns
Output Hold from Address Change
tAVQX
tOH
00
0
ns
Output Enable to Output Valid
tGLQV
tOE
810
12
ns
Output Enable to Output in Low Z (1)
tGLQX
tOLZ
00
0
ns
Output Disable to Output in High Z(1)
tGHQZ
tOHZ
070
8
0
10
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = 0
°C to +70°C)
Symbol
17ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
tAVAV
tWC
17
20
25
ns
Chip Enable to End of Write
tELWH
tCW
14
15
17
ns
tELEH
tCW
14
15
17
ns
Address Setup Time
tAVWL
tAS
00
0
ns
tAVEL
tAS
00
0
ns
Address Valid to End of Write
tAVWH
tAW
14
15
17
ns
tAVEH
tAW
14
15
17
ns
Write Pulse Width
tWLWH
tWP
14
15
17
ns
tWLEH
tWP
14
15
17
ns
Write Recovery Time
tWHAX
tWR
00
0
ns
tEHAX
tWR
00
0
ns
Data Hold Time
tWHDX
tDH
00
0
ns
tEHDX
tDH
00
0
ns
Write to Output in High Z (1)
tWLQZ
tWHZ
08
0
10
ns
Data to Write Time
tDVWH
tDW
810
12
ns
tDVEH
tDW
810
12
ns
Output Active from End of Write (1)
tWHQX
tWLZ
00
0
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDI88512CA | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8 CMOS单片静态RAM) |
| EDI88512C | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8 CMOS单片静态RAM) |
| EDI8C32128C | 128Kx32 SRAM Module(低功耗CMOS，512Kx32静态RAM模块（存取时间15，17，20，25，35，45，55ns）) |
| EDI8C32512CA | 512Kx32 SRAM Module(低功耗CMOS，128Kx32静态RAM模块（存取时间15，17，20，25，35，45，55ns）) |
| EDI8C32512LPA20EC | Integrated Buffers with VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 20-HTSSOP T&R |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EDI88512CATB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CATC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CATI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CATM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CAXB32B | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。