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参数资料
| 型号： | EDI88512CA-RP |
| 英文描述： | 512Kx8 Plastic Monolithic SRAM CMOS(512Kx8 CMOS塑料单片静态RAM) |
| 中文描述： | 512Kx8塑料的CMOS单片的SRAM（512Kx8的CMOS塑料单片静态内存） |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | EDI88512CA-RP |
6
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
EDI88512CA-RP
FIG. 6
NORMALIZED OPERATING GRAPHS
-55
125
25
ICC1 (20ns) vs Temp
Temp. (C)
14
13
12
11
10
9
8
7
6
-55
125
25
Write Pulse Width vs. Temp.
Write
Pulse
Width
(ns)
Temp. (C)
-55
125
25
ICC3 vs. Temp
Temp. (C)
22
20
18
190
16
14
12
-55
125
25
TAVQV vs. Temp
TAVQV
(ns
)
Temp. (C)
10
1
0.1
0.01
0.001
-55
125
25
ICCDR vs. Temp
ICCDR
(ma)
Normalized curves are offered as a
servicetoourcustomers.
Theyare
not to be construed as a guarantee of
operating characterics.
Characteristics of actual devices will
vary.
10
1
0.1
0.01
ICC3
(ma)
220
210
200
190
180
170
160
ICC1
(ma)
IDR, 2V
IDR, 3V
Temp. (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDI88512CA | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8 CMOS单片静态RAM) |
| EDI88512C | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8 CMOS单片静态RAM) |
| EDI8C32128C | 128Kx32 SRAM Module(低功耗CMOS，512Kx32静态RAM模块（存取时间15，17，20，25，35，45，55ns）) |
| EDI8C32512CA | 512Kx32 SRAM Module(低功耗CMOS，128Kx32静态RAM模块（存取时间15，17，20，25，35，45，55ns）) |
| EDI8C32512LPA20EC | Integrated Buffers with VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 20-HTSSOP T&R |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EDI88512CATB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CATC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CATI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CATM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
| EDI88512CAXB32B | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:512Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-95600 |
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