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参数资料
| 型号： | EM6K6T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6 |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 300mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6K6T2RDKR |
EM6K6
Transistor
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Gate-source leakage
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Symbol
I GSS
V (BR)DSS
I DSS
V GS(th)
R DS(on) ?
|Y fs | ?
C iss
C oss
C rss
Min.
?
20
?
0.3
?
?
?
400
?
?
?
Typ.
?
?
?
?
0.7
0.8
1.0
?
25
10
10
Max.
± 10
?
1.0
1.0
1.0
1.2
1.4
?
?
?
?
Unit
μ A
V
μ A
V
?
?
?
ms
pF
pF
pF
Conditions
V GS =± 8V, V DS = 0V
I D = 1mA, V GS = 0V
V DS = 20V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 300mA, V GS = 4.0V
I D = 300mA, V GS = 2.5V
I D = 300mA, V GS = 1.8V
I D = 300mA, V DS = 10V
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
t d(on) ?
t r ?
t d(off) ?
t f ?
?
?
?
?
5
10
15
10
?
?
?
?
ns
ns
ns
ns
I D = 150mA, V DD
V GS = 4.0V
R L = 67 ?
R G = 10 ?
10V
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 100mA, V GS =0V
? Pulsed
Electrical characteristic curves
1 V DS = 10V
Pulsed
10
V GS = 4V
Pulsed
10
V GS = 2.5V
Pulsed
0.1
0.01
0.001
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.0001
0.00001
0.1
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.1 Typical transfer characteristics
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.3 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( ΙΙ )
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6K7T2R | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 |
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6K7 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Nch MOSFET |
| EM6K7T2R | 功能描述:MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive NchPch MOSFET |
| EM6M1T2R | 功能描述:MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
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