型号: | EM6M2T2R |
厂商: | Rohm Semiconductor |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
标准包装: | 8,000 |
FET 型: | N 和 P 沟道 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 200mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1 欧姆 @ 200mA,4V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 25pF @ 10V |
功率 - 最大: | 150mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装: | EMT6 |
包装: | 带卷 (TR) |
其它名称: | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |