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参数资料
| 型号： | EM6M2T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 200mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
EM6M2
Data Sheet
1
V DS = 10V
Pulsed
1
V GS = 0V
Pulsed
2.5
I D = 0.2A
Ta=25°C
Pulsed
2
Ta= -25°C
Ta=25°C
0.1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1.5
1
Ta=75°C
Ta=125°C
0.5
I D = 0.02A
0.1
0.01
0.1
1
0.01
0.0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
DRAIN-CURRENT : I D [A]
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Fig.11 Source current vs.
source-drain voltage
Fig.12 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
Ta = 25 ° C
V DD = 10V
V GS = 4V
R G = 10 ?
100
Ciss
Pulsed
100
t d(off)
10
Crss
10
t f
t d(on)
t r
Ta=25°C
f=1MHz
Coss
1
0.01
0.1
1
1
V GS =0V
DRAIN CURRENT : I D (A)
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.13 Switching characteristics
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/7
2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EM710FR16BW-12S | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| EM710FR16BW-85S | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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