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参数资料
| 型号： | EM6M2T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 200mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
EM6M2
N-ch
Measurement circuit
Pulse Width
Data Sheet
V GS
50%
10%
90%
50%
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DD
V DS
V DS
t d （ on ）
t on
10%
t r
90%
t d （ off ）
t f
t off
10%
90%
Fig.1-1 Switching Time Measurement circuit
P-ch
Measurement circuit
V GS
Fig.1-2 Switching Waveforms
Pulse Width
10%
V GS
I D
V DS
50%
90%
50%
R L
10%
10%
R G
V DD
V DS
t d （ on ）
9 0%
t r
t d （ off ）
t f
90%
t on
t off
Fig.2-1 Switching Time Measurement circuit
Fig.2-2 Switching Waveforms
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.07 - Rev.A
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| EM710FR16BW-85S | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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