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参数资料
| 型号： | EM6M1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6M1T2RDKR |
EM6M1
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOSFET
EM6M1
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in EMT6 package.
2) High-speed switching.
3) Low voltage drive (2.5V drive).
4) Built-in G-S Protection Diode.
Dimensions (Unit : mm)
EMT6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : M01
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
T2R
8000
(6)
(5)
? 1
(4)
EM6M1
? 2
? 1
? 2
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
(3) Tr2 (Pch) Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 (Pch) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 (Pch) Gate
(6) Tr1 (Nch) Drain
Parameter
Symbol
Limits
Tr1 : N-ch Tr2 : P-ch
Unit
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
30
± 20
? 20
± 12
V
V
Drain current
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
± 0.1
± 0.4
± 0.2
± 0.4
A
A
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
150
120
150
? 55 to + 150
mW / TOTAL
mW / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw 10 μ s, Duty cycle 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
| EMH1307-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
| EMH1405-TL-H | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 |
| EMH2308-TL-E | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
| EM6M2T2R | 功能描述:MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM700 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS |
| EM710FR16BW-12L | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| EM710FR16BW-12S | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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