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参数资料
| 型号： | EM6M1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6M1T2RDKR |
EM6M1
Transistors
N-ch
Electrical characteristic curve
200m
100m
50m
20m
10m
V DS =3V
Pulsed
50
20
10
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS =4V
Pulsed
50
20
10
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS =2.5V
Pulsed
5m
2m
Ta=125 ° C
5
5
1m
0.5m
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
2
1
2
1
0.2m
0.1m
0.5
0.5
0
1
2
3
4
0.001 0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.001 0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( ΙΙ )
15
Ta=25 ° C
0.5
V DS =3V
200m
V GS =0V
10
5
I D =0.1A
Pulsed
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
Ta= ? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
Pulsed
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Pulsed
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.5m
I D =0.05A
0.002
0.2m
0
0
5
10
15
20
0.001
0.0001 0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
0.1m
0
0.5
1
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.5 Forward Transfer
Admittance vs. Drain Current
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage ( Ι )
50
20
Ta=25 ° C
f=1MH Z
V GS =0V
C iss
1000
500
200
t d(off)
t f
Ta=25 ° C
V DD =5V
V GS =5V
R G =10 ?
10
100
5
2
C oss
C rss
50
20
t r
t d(on)
10
1
5
0.5
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
DRAIN CURRENT : I D (mA)
Fig.7
Typical Capacitance vs.
Fig.8 Switching Characteristics
Drain-Source Voltage
3/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
| EM6M2T2R | 功能描述:MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| EM710FR16BW-12S | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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