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参数资料
| 型号： | EM6M1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6M1T2RDKR |
EM6M1
Transistors
P-ch
Electrical characteristic curve
1
V DS = ? 10V
10
V GS = ? 4.5V
10
V GS = ? 4V
0.1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
Pulsed
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
Pulsed
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
Pulsed
0.01
1
1
0.001
0.1
0.1
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
10
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = ? 2.5V
Pulsed
10
V GS = ? 2.5V
Ta=25 ° C
Pulsed
5
4
Ta=25 ° C
Pulsed
3
1
1
V GS = ? 4V
V GS = ? 4.5V
2
1
I D = ? 0.1A
I D = ? 0.2A
0.1
0.1
0
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Gate-Source Voltage
Ta=25 ° C
100
C iss
1000
t f
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 4.5V
R G =10 ?
Pulsed
4.5
4 V DD = ? 15V
I D = ? 0.2A
3.5 R G = 10 ?
Pulsed
100
3
t d(off)
2.5
10
2
C oss
10
t d(on)
1.5
Ta=25 ° C
f=1MHz
C rss
t r
1
0.5
0
V GS =0V
1
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.7 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.8 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Q g (nC)
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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