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参数资料
| 型号： | EM6M1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6M1T2RDKR |
EM6M1
Transistors
N-ch
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 1
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D =10 μ A, V GS =0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
0.8
?
?
20
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
5
7
?
13
9
4
15
35
80
80
0.9
0.2
0.2
1
1.5
8
13
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
?
?
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS =30V, V GS =0V
V DS =3V, I D =100 μ A
I D =10mA, V GS =4V
I D =1mA, V GS =2.5V
V DS =3V, I D =10mA
V DS =5V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 5V
I D =10mA
V GS =5V
R L =500 ?
R G =10 ?
V DD 15V, I D =0.1A
V GS =4.5V
R L =150 ?, R G =10 ?
? Pulsed
P-ch
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 12V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.7
?
?
?
0.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
1.1
2.0
?
50
5
5
9
6
35
45
1.2
0.2
0.2
? 1
? 2.0
1.5
1.6
3.0
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 20V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 0.2A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 0.2A, V GS = ? 4V
I D = ? 0.2A, V GS = ? 2.5V
V DS = ? 10V, I D = ? 0.15A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f=1MHz
V DD ? 15V
I D = ? 0.15A
V GS = ? 4.5V
R L = 100 ?
R G = 10 ?
V DD ? 15V, I D = ? 0.2A
V GS = ? 4.5V
R L = 75 ?, R G = 10 ?
? Pulsed
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参数描述 |
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