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参数资料
| 型号： | EM6M1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6M1T2RDKR |
EM6M1
Transistors
P-ch
Measurement circuit
V GS
10%
Pulse Width
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
50%
10%
90%
50%
10%
V DD
V DS
9 0 %
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.11 Switching Time Test Circuit
Fig.12 Switching Time Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.13 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.14 Gate Charge Waveform
6/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
| EMH1307-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
| EMH1405-TL-H | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 |
| EMH2308-TL-E | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
| EM6M2T2R | 功能描述:MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM700 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS |
| EM710FR16BW-12L | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| EM710FR16BW-12S | 制造商:EMLSI 制造商全称:Emerging Memory & Logic Solutions Inc 功能描述:64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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