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参数资料
| 型号： | EM6K7T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6K7T2RDKR |
1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
EM6K7
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Applications
Switching
Features
1) The MOSFET elements are independent,
eliminating mutual interference.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
Dimensions (Unit : mm)
EMT6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : K07
3) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for
portable equipment.
Inner circuit
(6)
(5)
(4)
Packaging specifications
Package
Taping
? 1
Type
Code
T2R
Basic ordering unit
(pieces)
8000
? 2
? 2
EM6K7
(1)Tr1
(2)Tr1
Source
Gate
? 1
(3)Tr2
(4)Tr2
Drain
Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(1)
? 1 Esd Protection diode
? 2 Body Diode
(2)
(3)
(5)Tr2
(6)Tr1
Gate
Drain
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain ? source voltage
Gate ? source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
± 8
Unit
V
V
Drain current
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
± 200
± 400
mA
mA
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
? 2
P D
Tch
Tstg
150
120
150
? 55 to + 150
mW / TOTAL
mW / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land.
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
833
1042
Unit
° C/W / TOTAL
° C/W / ELEMENT
? Each terminal mounted on a recommended land
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
| EMH1307-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
| EMH1405-TL-H | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive NchPch MOSFET |
| EM6M1T2R | 功能描述:MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
| EM6M2T2R | 功能描述:MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM700 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS |
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