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参数资料
| 型号： | EM6K7T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6K7T2RDKR |
EM6K7
Electrical characteristics curves
Data Sheet
0.5
0.4
V GS = 1.5V
Ta=25°C
Pulsed
0.5
0.4
V GS = 2.5V
V GS = 1.8V
V GS = 1.3V
1 V DS = 10V
Pulsed
0.1
0.01
0.3
0.2
V GS = 4.5V
V GS = 1.3V
V GS = 1.2V
0.3
0.2
V GS = 1.5V
V GS = 1.2V
0.001
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 1.8V
0.1
Ta=25°C
0.0001
0
0
Pulsed
0.00001
0.0
0.5
1.0
1.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
Fig.3 Typical transfer characteristics
10000
Ta= 25°C
Pulsed
V GS = 1.2V
V GS = 1.5V
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.0V
10000
V GS = 4.0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
10000
V GS = 2.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1000
100
1000
100
1000
100
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
10000
V GS = 1.8V
10000
V GS = 1.5V
10000
V GS = 1.2V
1000
100
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1000
100
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1000
100
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
3/4
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.9 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅴ )
2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
| EMH1307-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive NchPch MOSFET |
| EM6M1T2R | 功能描述:MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
| EM6M2T2R | 功能描述:MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM700 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS |
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