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参数资料
| 型号： | EM6K7T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6K7T2RDKR |
EM6K7
Data Sheet
1
V DS = 10V
Pulsed
1
V GS = 0V
Pulsed
2.5
I D = 0.2A
Ta=25°C
Pulsed
2
Ta= -25°C
Ta=25°C
0.1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1.5
1
Ta=75°C
Ta=125°C
0.5
I D = 0.02A
0.1
0.01
0.1
1
0.01
0.0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
DRAIN-CURRENT : I D [A]
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Fig.11 Source current vs.
source-drain voltage
Fig.12 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
Ta = 25 ° C
V DD = 10V
V GS = 4V
R G = 10 ?
100
Ciss
Pulsed
100
t d(off)
10
Crss
10
t f
t d(on)
t r
Ta=25°C
f=1MHz
Coss
1
0.01
0.1
1
1
V GS =0V
DRAIN CURRENT : I D (A)
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.13 Switching characteristics
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Measurement circuit
Pulse width
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DD
V DS
V GS
V DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
90%
90%
t d (on)
t on
t r
t d (off)
t f
t off
Fig.1-1 Switching time measurement circuit
Fig.1-2 Switching waveforms
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
| EMH1307-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
| EMH1405-TL-H | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive NchPch MOSFET |
| EM6M1T2R | 功能描述:MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6M2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
| EM6M2T2R | 功能描述:MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM700 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS |
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