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参数资料
型号： ES29BDS160ET-90RTGI
厂商： 优先(苏州)半导体有限公司
英文描述： 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存
文件页数： 13/51页
文件大小： 697K
代理商： ES29BDS160ET-90RTGI
ES I
20
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Program
Unlock
Bypass
Auto-
select
Read
Chip
Erase
Sector
Erase
Erase-
suspend
Read
PA/PD
A0
20
90
00
F0
Resume
30
B0
Suspend
50us
SA/30
10
55
AA
80
55
AA
Done
90
COMMAND DIAGRAM
Figure 8. Command Diagram
Done
相关PDF资料
PDF描述
ES29BDS160FT-70TGI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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参数描述
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ES29BDS160F-70RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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