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参数资料
| 型号： | ES29BDS160ET-90RTGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 36/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160ET-90RTGI |
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ES I
41
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
A<17:12>
OE#
WE#
RESET#
CE#
Vcc
Figure 28. Sector Protection timings (A9 High-Voltage Method)
tWPP1
0x01
tST
DQ
SAx
tOE
SAy
tOESP
tCSP
tST
tVIDR
A<0>
A<1>
A<6>
A<9>
VID
Table 15. AC CHARACTERISTICS
Parameter
Description
Value
Unit
tOE
Output Enable to Output Delay
Max
30/35
ns
tVIDR
Voltage Transition Time
Min
500
ns
tWPP1
Write Pulse Width for Protection Operation
Min
150
us
tWPP2
Write Pulse Width for Unprotection Operation
Min
15
ms
tOESP
OE# Setup Time to WE# Active
Min
4
us
tCSP
CE# Setup Time to WE# Active
Min
4
us
tST
Voltage Setup Time
Min
4
us
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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