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参数资料
型号： ES29BDS160ET-90RTGI
厂商： 优先(苏州)半导体有限公司
英文描述： 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存
文件页数： 20/51页
文件大小： 697K
代理商： ES29BDS160ET-90RTGI
ES I
27
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
DC CHARACTERISTICS
Zero-Power Flash
Figure 12. Icc1 Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
5
10
15
Time in ns
Supp
ly
Cu
rr
e
n
tin
mA
Icc1 (Active Read current)
Icc5 (Automatic Sleep Mode)
12
10
8
6
4
2
0
1
2
3
45
Frequency in MHz
Su
pp
ly
Curren
tin
mA
2.7V
3.6V
Figure 13. Typical Icc1 vs. Frequency
Note: Addresses are switching at 1 MHz
Note: T = 25oC
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PDF描述
ES29BDS160FT-70TGI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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ES29BDS160F-70RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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