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参数资料
| 型号： | ES29BDS160ET-90RTGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 31/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160ET-90RTGI |
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ES I
37
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
CE#
RESET#
RY/BY#
tRSP
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
tVIDR
tRRB
VID
Vss,VIL,
or VIH
WE#
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
tRRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
AC CHARACTERISTICS
Table 13. Temporary Sector Unprotect
Note: Not 100% tested.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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