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参数资料
| 型号： | ES29BDS400ET-90RTGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 25/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400ET-90RTGI |
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ES I
31
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Address Input
CE#
BYTE#
tFHQV
DQ15
Output
Data Output
(DQ0-DQ7)
Data Output
(DQ0-DQ7)
Data Output
(DQ0-DQ14)
Address Input
DQ15
Output
Data Output
(DQ0-DQ14)
tFLQZ
tELFL
tELFH
OE#
DQ15/A-1
BYTE#
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
BYTE# Switching
Switching from
word to byte mode
The falling edge of the last WE# signal
CE#
BYTE#
WE#
tSET
(tAS)
tHOLD
(tAH)
Figure 19. BYTE# Timing for Write Operations
Figure 18. BYTE# Timing for Read Operations
AC CHARACTERISTICS
Table 11. Word/Byte Configuration (BYTE#)
Note : Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS and tAH specifications.
Parameter
Description
70
90
Unit
JEDEC
Std.
tELFL/tELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
tFLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
16
ns
tFHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
90
ns
BYTE# Switching
Switching from
byte to word mode
DQ0-DQ14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29BDS400FB-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FT-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES2BA | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| ES3250402ATL | POWER/SIGNAL RELAY, 3PDT, MOMENTARY, 0.097A (COIL), 28VDC (COIL), 2716mW (COIL), 25A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
| ES52K1C05N-20.000MTR | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES29BDS400ET-90TGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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| ES29BDS400FB-12TG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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