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参数资料
| 型号： | ES29BDS400ET-90RTGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 3/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400ET-90RTGI |
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ES I
11
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Table 3. Top Boot Sector Addresses (ES29LV400ET)
Sector
Sector address
A17~A12
Sector Size
(Kbytes/Kwords)
(X8)
Address Range
(X16)
Address Range
Remark
SA0
000XXX
64/32
00000h~0FFFFh
00000h~07FFFh
Main Sector
SA1
001XXX
64/32
10000h~1FFFFh
08000h~0FFFFh
SA2
010XXX
64/32
20000h~2FFFFh
10000h~17FFFh
SA3
011XXX
64/32
30000h~3FFFFh
18000h~1FFFFh
SA4
100XXX
64/32
40000h~4FFFFh
20000h~27FFFh
SA5
101XXX
64/32
50000h~5FFFFh
28000h~2FFFFh
SA6
110XXX
64/32
60000h~6FFFFh
30000h~37FFFh
SA7
1110XX
32/16
70000h~77FFFh
38000h~3BFFFh
Boot Sector
SA8
111100
8/4
78000h~79FFFh
3C000h~3CFFFh
SA9
111101
8/4
7A000h~7BFFFh
3D000h~3DFFFh
SA10
11111X
16/8
7C000h~7FFFFh
3E000h~3FFFFh
Note:
The addresses range is A17:A-1 in byte mode (BYTE#=VIL) or A17:A0 in word mode (BYTE#=VIH).
Table 4. Bottom Boot Sector Addresses (ES29LV400EB)
Sector
Sector address
A17~A12
Sector Size
(Kbytes/Kwords)
(X8)
Address Range
(X16)
Address Range
Remark
SA0
00000X
16/8
00000h~03FFFh
00000h~01FFFh
Boot Sector
SA1
000010
8/4
04000h~05FFFh
02000h~02FFFh
SA2
000011
8/4
06000h~07FFFh
03000h~03FFFh
SA3
0001XX
32/16
08000h~0FFFFh
04000h~07FFFh
SA4
001XXX
64/32
10000h~1FFFFh
08000h~0FFFFh
Main Sector
SA5
010XXX
64/32
20000h~2FFFFh
10000h~17FFFh
SA6
011XXX
64/32
30000h~3FFFFh
18000h~1FFFFh
SA7
100XXX
64/32
40000h~4FFFFh
20000h~27FFFh
SA8
101XXX
64/32
50000h~5FFFFh
28000h~2FFFFh
SA9
110XXX
64/32
60000h~6FFFFh
30000h~37FFFh
SA10
111XXX
64/32
70000h~7FFFFh
38000h~3FFFFh
Note:
The addresses range is A17:A-1 in byte mode (BYTE#=VIL) or A17:A0 in word mode (BYTE#=VIH).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29BDS400FB-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FT-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES2BA | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| ES3250402ATL | POWER/SIGNAL RELAY, 3PDT, MOMENTARY, 0.097A (COIL), 28VDC (COIL), 2716mW (COIL), 25A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
| ES52K1C05N-20.000MTR | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES29BDS400ET-90TGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400F-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400F-70WCI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FB-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FB-12TG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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