型号: | FCD4N60TM_WS |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 2/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
产品目录绘图: | DPAK, TO-252(AA) |
标准包装: | 1 |
系列: | SuperFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.2 欧姆 @ 2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 16.6nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 540pF @ 25V |
功率 - 最大: | 50W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | D-Pak |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | FCD4N60TM_WSDKR |