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参数资料
| 型号： | FCH35N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SuperMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 98 毫欧 @ 17.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 181nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 312.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
200
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
200
100
150 C
-55 C
10
10
o
o
25 C
o
2. T C = 25 C
1
0.3
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
20
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7 8
9
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.24
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
0.20
100
0.16
150 C
25 C
0.12
0.08
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.04
0
25
50 75
100 125
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.8 1.2
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
50000
10
V DS = 100V
V DS = 250V
10000
C iss
8
V DS = 400V
6
1000
*Note:
C oss
4
100
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
2
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
0.1 1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
C rss
600
0
0
*Note: I D = 35A
40 80 120
Q g , Total Gate Charge [nC]
160
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH35N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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