参数资料
型号: FCH35N60
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
标准包装: 30
系列: SuperMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 98 毫欧 @ 17.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 181nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6640pF @ 25V
功率 - 最大: 312.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247-3
包装: 管件
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH35N60 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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