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参数资料
| 型号： | FCH35N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SuperMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 98 毫欧 @ 17.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 181nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 312.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
0.85
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 17.5A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
300
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
40
100
100 μ s
10 μ s
1ms
30
10
DC
10ms
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
o
20
10
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
0.6
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
Single pulse
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.4 C/W Max.
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
1
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH35N60 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCH47N60_F133 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCH47N60 | 功能描述:MOSFET 650V SUPER FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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