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参数资料
| 型号： | FCPF20N60T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
10V
t p
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A 2
DUT
6
V DD
t p
V DS (t)
Time
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF22N60NT | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F |
| FCPF380N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF400N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF7N60NT | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F |
| FCPF7N60T | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPF20N60TYDTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF21N60NT | 功能描述:MOSFET SupreMOS, 21A TO220F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF22N60NT | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF260N60E | 功能描述:MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF260N60E_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SUPERFET2, 260MOHM, TO220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 600V 15A TO-220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / SuperFET2, 260mohm, TO220F |
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