参数资料
型号: FCPF20N60T
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
标准包装: 50
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3080pF @ 25V
功率 - 最大: 39W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
10V
t p
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A 2
DUT
6
V DD
t p
V DS (t)
Time
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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