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参数资料
| 型号： | FDB035N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB035N10ADKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
600
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
300
100
o
25 C
-55 C
10
10
o
o
2. T C = 25 C
2
0.02
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
0.1 1
10
1
2
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
3 4 5
6
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.0040
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
150 C
25 C
0.0035
0.0030
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.0025
0
60
120 180 240 300 360
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
10
Crss = Cgd
C iss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
8
6
V DS = 20V
V DS = 50V
V DS = 80V
5000
C oss
4
2
C rss
100
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 75A
30 60
Q g , Total Gate Charge [nC]
90
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB035N10A Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB039N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB045AN08A0_F085 | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK |
| FDB045AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK |
| FDB047N10 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| FDB075N15A | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB039N06 | 功能描述:MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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