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参数资料
| 型号： | FDB035N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB035N10ADKR |
Mechanical Dimensions
Figure 17. TO263 (D 2 PAK), Molded, 2-Lead, Surface Mount
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?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB035N10A Rev. C2
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDB045AN08A0_F085 | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB039N06 | 功能描述:MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB039N06_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 174A, 3.9m?? |
| FDB045AN08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз |
| FDB045AN08_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 75V, 80A, 4.5m |
| FDB045AN08A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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