参数资料
型号: FDB035N10A
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7295pF @ 25V
功率 - 最大: 333W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 标准包装
其它名称: FDB035N10ADKR
Typical Performance Characteristics
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
1. Z θ JC (t) = 0.45 C/W Max.
0.01
0.05
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 , 1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB035N10A Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDB039N06 功能描述:MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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