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参数资料
| 型号： | FDB047N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15265pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB047N10DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
300
8V
7V
6.5 V
400
175 C
-55 C
100
10V
6.0 V
100
o
o
25 C
5.5 V
V GS = 5V
10
o
2. T C = 25 C
10
6
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
5
1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
175 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
10
8
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
300
100
o
25 C
6
4
V GS = 10V
o
2
V GS = 20V
10
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0
0
100 200 300
o
400
2
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
C iss
C oss
C rss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
4
2
V DS = 20V
V DS = 50V
V DS = 80V
0
0.1
1 10
30
0
0
30
*Note: I D = 75A
60 90 120 150
180
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB047N10 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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