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参数资料
| 型号： | FDB047N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15265pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB047N10DKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
1000
100
1ms
10ms
100 μ s
10 μ s
200
150
1. T C = 25 C
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
100ms
DC
100
50
Limited by package
2. T J = 175 C
o
3. Single Pulse
T C , Case Temperature [ C]
0.1
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100 200
0
25
50
75 100 125 o
150
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
0.01
0.05
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.4 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1 0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB047N10 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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