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参数资料
型号： FDB10AN06A0
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： JFETs
英文描述： CAP 0.1UF 50V 5% X7R SMD-1206 TR-7-PA SN100
中文描述： 12 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封装： TO-263AB, 3 PIN
文件页数： 8/11页
文件大小： 265K
代理商： FDB10AN06A0
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0 Rev. A
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDP10AN06A0 2 1 3 ;
Ca 12 8 7e-10
Cb 15 14 7e-10
Cin 6 8 1.8e-9
rev July 2002
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 68.4
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 7e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 3e-9
RLgate 1 9 70
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 30
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 1.6e-3
Rgate 9 20 3.6
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*250),7))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=9E-12 N=1.06 RS=2.7e-3 TRS1=2.4e-3 TRS2=1.1e-6
+ CJO=1.25e-9 M=5.3e-1 TT=4e-9 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=2.7e-1 TRS1=1e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=4.7e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.44)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.6 KP=5.5 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.6)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.4 KP=80 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.06 KP=0.03 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=36 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9e-4 TC2=5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=2.5e-2 TC2=7.8e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-3 TC2=3.5e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-5.9e-3 TC2=-1.3e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.3e-3 TC2=1.3e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-8 VOFF=-5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-5 VOFF=-8)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-1.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-2)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
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6
8
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5
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8
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RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
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S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
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MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
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7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
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RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
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6
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