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参数资料
| 型号： | FDB110N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 92A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 234W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
V GS = 15.0V
10.0V
500
*Notes:
1. V DS = 10V
8.0V
6.5V
6.0V
100
2. 250 μ s Pulse Test
175 C
25 C
100
5.5V
5.0V
o
o
-55 C
o
10
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 C
5
0.1
o
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
10
1
2
3 4 5 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
7
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
24
20
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
175 C
o
16
25 C
12
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
8
0
50
100 150 200 250 300 350
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
C iss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
8
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
C oss
6
100
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
10
0.1
Crss = Cgd
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100 200
0
0
*Note: I D = 92A
10 20 30 40
Q g , Total Gate Charge [nC]
50
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB110N15A Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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