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参数资料
| 型号： | FDB120N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 74A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5605pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB120N10DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
3000
1000
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
500
100
175 C
-55 C
25 C
100
10
5.5 V
5.0 V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.2
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
3
4
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7 8
9
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.04
0.03
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
175 C
25 C
0.02
0.01
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.00
0
50
100 150 200 250 300
I D , Drain Current [A]
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
7000
5600
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 25V
V DS = 50V
V DS = 80V
4200
*Note:
6
2800
1400
C oss
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D =74A
20 40 60
Q g , Total Gate Charge [nC]
80
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB120N10 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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