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参数资料
| 型号： | FDB12N50UTM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1395pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB12N50UTM_WSDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
30
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
30
150 C
10
6.5 V
6.0 V
5.5 V
10
o
25 C
o
2. T C = 25 C
1
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
20
1
4.0
4.5
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
5.0 5.5 6.0 6.5
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
7.0
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.4
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
1.2
o
25 C
1.0
0.8
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
*Note: T J = 25 C
0.6
0
5
10 15 20
I D , Drain Current [A]
o
25
1
0.0
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.5 1.0 1.5 2.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
2.5
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
1500
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C iss
*Note:
1. V GS = 0V
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1000
C oss
2. f = 1MHz
6
4
500
C rss
2
0
0.1
1 10
30
0
0
5
*Note: I D = 10A
10 15 20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB12N50U Rev.C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB14AN06LA0_F085 | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK |
| FDB14N30TM | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK |
| FDB150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB13AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB13AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06L_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 60A, 14.6mW |
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| FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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