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参数资料
| 型号： | FDB14AN06LA0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 67A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SPICE Thermal Model
REV January 2004
FDP14AN06LA0T
CTHERM1 TH 6 2.5e-3
CTHERM2 6 5 3e-3
CTHERM3 5 4 4e-3
CTHERM4 4 3 7e-3
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM5 3 2 8.2e-3
CTHERM6 2 TL 5e-2
6
RTHERM1 TH 6 4.2e-2
RTHERM2 6 5 8.4e-2
RTHERM3 5 4 1.04e-1
RTHERM4 4 3 1.14e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 2.74e-1
RTHERM6 2 TL 3.44e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDP14AN06LA0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =2.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =3e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =4e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =7e-3
RTHERM3
RTHERM4
4
CTHERM3
CTHERM4
ctherm.ctherm5 3 2 =8.2e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =5e-2
3
rtherm.rtherm1 th 6 =4.2e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =8.4e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =1.04e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =1.14e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =2.74e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.44e-1
RTHERM5
CTHERM5
}
RTHERM6
2
CTHERM6
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
FDB14AN06LA0_F085 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDB15N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263 |
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